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化学机械抛光机在日常应用中具有众多特点

点击次数:114 发布时间:2021-10-26
  化学机械抛光机具有强防腐蚀的功能,在保护操作人员人身安全的情况下,还能够很好的满足腐蚀抛光溶剂,如溴甲醇,过氧化氢或酸腐蚀剂等,同样也适用于腐蚀性较弱的化学抛光,如半导体晶片的背面抛光。CPI系列纯化学抛光设备可以与GNAD系列研磨抛光设备配合使用,可以实现电子器件对于晶片表面平整度、平行度及厚度非常苛刻的控制要求,并能完全达到这些控制标准。
 

 

  化学机械抛光机的原理:
  设备由主驱动系统,防腐蚀填料系统,废料疏导系统和远程控制系统组成,抛光盘更换方便,并且容易清洗。主驱动系统配有齿轮驱动装置,样品在行星齿轮内绕着中心齿轮同步转动,保证了样品表面平整度和平行度。
 
  应用:
  1、用于红外探测和其它器件的碲锌镉,锑化铟,碲镉汞等材料在封装及外延生长前的末级化学腐蚀抛光。
  2、用于薄脆的半导体材料,如砷化镓,磷化铟和多种Ⅲ-Ⅴ族,Ⅱ-Ⅵ族化合物等。
  3、用于所有需要电子/光学级抛光的高标准应用,如硫化镉及类似的光电材料。
 
  化学机械抛光机主要特点:
  1、原位摩擦:该仪器通过测量原位摩擦和磨损程度来研究基本的抛光技术,而磨擦的变化则可用来描述移除率的近似值。
  2、原位垫片磨损:原位磨损率则可用来反应在抛光,调节等情况下垫片的状态。
  3、状态:原位和非原位调节
  4、晶片尺寸:易于替换的晶片夹具可在同一测试仪上进行抛光样品的尺寸由1英寸至4英寸。
  5、泵:独立的可编程泵可提供泥浆,水以及其他的化工产品。
  6、技术:化学机械抛光(CMP)是用来对正在加工中的晶片或其他物料进行平坦化处理的过程,而抛光技术则是利用了物理和化学的协同作用对晶片进行的抛光,通过给储存在抛光片里样本的底座一个加载力而完成的,当包含了研磨剂和活性化学剂两种成分的抛光液通过底部时,抛光垫和样本开始计数旋转。
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