美国SVT激光分子束外延设备/LMBE/Laser MBE： Laser MBE具备PLD和传统MBE的特点，对薄膜的生长速率进行精确（原子层级别）控制。设备特点是在MBE系统上增加激光烧蚀工艺，系统可以生长包括高熔点陶瓷以及多元素固体材料等各种材料。SVT有20年的MBE设备制造经验，我们擅于通过在线监控薄膜生长来提高薄膜质量。