美国SVT激光分子束外延设备/LMBE/Laser MBE

产品简介

Laser MBE具备PLD和传统MBE的特点，对薄膜的生长速率进行精确（原子层级别）控制。设备特点是在MBE系统上增加激光烧蚀工艺，系统可以生长包括高熔点陶瓷以及多元素固体材料等各种材料。SVT有20年的MBE设备制造经验，我们擅于通过在线监控薄膜生长来提高薄膜质量。所采用的在线监控仪器包括：温度测量仪、厚度测量仪、RHEED、束流监控仪等。如果您想了解更多这方面的信息，请。

应用

氧化物半导体、高温超导材料、光学晶体材料、电光学薄膜、铁电以及铁磁材料等

标准性能

● 超高真空（本底压强<1E-10 Torr）

● 集成多种类型源，包括：

- RF等离子体源

- 热蒸发源

- 电子束蒸发源

- 臭氧传送系统

● 先进的在线监控仪（可选）

- 原子吸收束流监控仪

- RHEED

- 温度以及厚度测量仪

● 6个可旋转PLD靶

● 高功率准分子激光器

● 提供合适的泵抽组合

● 多种腔室配置以满足您的需求

● 培训以及服务支持

技术参数

Nitride Systems
Oxide Systems
Silicon Systems
Metal Organic Systems
Generic III-V and II-VI Systems
Compact MBE System (pdf brochure)
Dual Chamber MBE System (pdf brochure)