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产品详情
产品简介
Laser MBE具备PLD和传统MBE的特点,对薄膜的生长速率进行精确(原子层级别)控制。设备特点是在MBE系统上增加激光烧蚀工艺,系统可以生长包括高熔点陶瓷以及多元素固体材料等各种材料。SVT有20年的MBE设备制造经验,我们擅于通过在线监控薄膜生长来提高薄膜质量。所采用的在线监控仪器包括:温度测量仪、厚度测量仪、RHEED、束流监控仪等。如果您想了解更多这方面的信息,请。
应用
氧化物半导体、高温超导材料、光学晶体材料、电光学薄膜、铁电以及铁磁材料等
标准性能
● 超高真空(本底压强<1E-10 Torr)
● 集成多种类型源,包括:
- RF等离子体源
- 热蒸发源
- 电子束蒸发源
- 臭氧传送系统
● 先进的在线监控仪(可选)
- 原子吸收束流监控仪
- RHEED
- 温度以及厚度测量仪
● 6个可旋转PLD靶
● 高功率准分子激光器
● 提供合适的泵抽组合
● 多种腔室配置以满足您的需求
● 培训以及服务支持
技术参数
Nitride Systems
Oxide Systems
Silicon Systems
Metal Organic Systems
Generic III-V and II-VI Systems
Compact MBE System (pdf brochure)
Dual Chamber MBE System (pdf brochure)
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